Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках а. милнс

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках а. милнс

By Вероника 0 комментариев 23.03.2015

У нас вы можете скачать книгу примеси с глубокими уровнями в полупроводниках а. милнс в fb2, txt, PDF, EPUB, doc, rtf, jar, djvu, lrf!

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Монография Л. Милнса, известного американского ученого, специалиста в области физики полупроводников, содержит обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и — Подробнее   РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ — дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к рых происходит рекомбинация электронно дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни Физическая энциклопедия. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках /А. Г. Милнс; Пер. с англ. Г. С. Пекаря; Под ред. М. К. Шейнкмана. Милнс, А. Г. Публикация. М.: Мир, Физическое описание. с.: ил. Паралельное заглавие. Deep impurities in semiconductors.. Добавить в корзину. Всего оценка: 0.  $a Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках $c А. Г. Милнс; Пер. с англ. Г. С. Пекаря; Под ред. М. К. Шейнкмана. 1. Милнс А.Г. Библиотека: Псковская областная универсальная научная библиотека. [1] А.Милнс Примеси с глубокими уровнями в полупроводника. М.: Мир, (). с. [2] В.Ф.Мастеров, Б.Саморуков.  использование в полупроводниковом приборостроении. АН УССР, Киев. (). 71 с. [4] С.М.Рывкин Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Изд. физ-мат. лит., () с. [5] В.И..Вертопрахов., Е.Г.Сальман. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, (). с. [6]. В.Е..Лашкарев, А.В.Любченко, М.К.Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: Наукова. думка, () с. [7] Физика соединений А2В6. Под ред. А.Н.Георгобиани и М.К.Шейнкмана. М.: Наука, (). с. [8] В.Ф.Сыноров, Б.И.Сысоев, В.Д.Линник. Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках.  А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, ). [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (N.Y., Wiley, )]. С. Зи. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках [Текст] / А. Милнс ; пер. с англ. канд. физ.-мат. наук Г. С. Пекаря ; под ред. д-ра физ.-мат. наук., проф. М. К. Шейнкмана. - Москва: Мир, - с.: ил.; 22 см. Предм. указ.: с. Пер. изд. Milnes, A. G. Deer impurities in semiconductors New York [etc.] Полупроводники - Примеси FB Б / FB Б / CZ2 В/М Читать. Marc дырок в полупроводнике при наличии в нем электронных состояний, играющих роль центров при-липания электронов или дырок, а также ГР-центров свободных носителей заряда с целью установ-ления физических причин уменьшения шумового напряжения фоторезистора при совместном дей-ствии напряжения смещения и фоновой засветки определенных величин.  – с. 8. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – М.: Мир, – с. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / А. Милнс. Сохранено в: Вид документа: Книги. Автор: Милнс, А. Г. Опубликовано: М.: Мир,   Теоретическое исследование эффекта эксклюзии в узкозонных и широкозонных полупроводниках с глубокими уровнями и неинжектирующими контактами: (): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова. - Баку, - 22 с. Автор: Маматкулов, Б. Р. Опубликовано: (). 5. Милнс, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / А. Милнс. – М.: Мир, – с. Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектам. Н. А. Поклонский, А. И. Ковалев, С. А. Вырко, А. Т. Власов. _Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь, [email protected] 1. Прыжковой электропроводностью называют явление термически активирован. Милнс, А. - Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Доступно 3 из 3. Книга Автор: Милнс, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках Издательство: Мир, г. ISBN отсутствует. Заказать. На полку. Книга УДК М Милнс, А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках / А. Милнс. – М.: Мир, – с. Тезаурус = ГАСНТИ Тезаурус = Физика: твердых тел: полупроводники. Кх Кх Кх. © Все права защищены ЗАО "Компания Либэр", - v Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Перевод с английского Пекаря Г.С., под редакцией Шейнкмана М.К. ID. Автор. Милнс А. Год издания.   Монография А Милнса, известного американского ученого, специалиста в области физики полупроводников, содержит обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и различных проявлений примесных центров с глубокими уровнями в германии, кремнии и полупроводниках типа А3B5. 4. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Под ред. М.К. Шейкмана, изд. Мир, Москва, , с.   Физика и техника полупроводников, в.5, , с Ерохин Ю.Н., Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. Новый механизм ионизационно-стимулированного воздействия на радиационные дефекты в имплантированных полупроводниках. Письма в Журнал технической физики, , т, в. 9, с В.Л. Винецкий, Г. А. Холодарь.